在上一篇文章对有刷直流电机的PWM驱动原理的说明中，介绍了基于电机两端短路的电流再生方法，实际上有刷直流电机的PWM驱动中还有别的电流再生方法，有刷直流电机的PWM驱动中的每种方法都有其应思考的事项。
下面是用来说明PWM驱动原理的示意图。其中省略了没必要列出的晶体管。（a）是施加电压时的电流再生，（b）是电机两端短路方法的电流再生。
由于使用了晶体管（在该示例中为MOSFET）来切换H桥，因此作为现实问题，需要将晶体管的导通电阻作为每条路径中的损耗加以考虑。该思路也同样适用于后续的电流再生方法。
除了（b）以外，还有三种电流再生方法。（c）是在施加电压的状态下的只断开Q1（Q2和Q3保持关断，而Q4保持导通）的方法。
在这种情况下，再生电流经由关断中的Q2的寄生（体）二极管流动，与（b）中相同。此时，路径中不仅包括导通电阻，还包括寄生二极管的正向电压VF。因此，电流会迅速衰减。另外，施加到电机的等效平均电压会损耗VF的量，因此会小于占空比相应的电压。
（d）是关闭所有晶体管的方法。在这种情况下，再生电流经由关断的Q2和Q4的寄生二极管流动。在该路径中，Q2和Q3的两个寄生二极管的VF会成为损耗。
另外，由于电源Ea进入电流路径并使电流沿相反的方向流动，所以再生电流的衰减非常快，并且施加于电机的相对于ON占空比的等效平均电压变得很低。当以50％占空比驱动时，施加于电机的等效平均电压将接近于零。此时，由于存在二极管，因此当电流变为零时将停止再生，并没电流沿相反方向流动。
（e）是使与施加电压时相反的晶体管导通的方法，也就是从Q1和Q4导通、Q2和Q3关断的电压施加状态变为Q1和Q4关断、Q2和Q3导通的状态，即偏置状态。
在这种情况下也同样，电源Ea进入电流路径并使电流反向流动，因此再生电流的衰减非常快，在再生电流经由二极管时，当电流变为零时再生停止，但由于晶体管处于导通状态，故电流将以相反的方向流动。
因此，如果按照与（d）相同的50％占空比进行驱动，则施加于电机的等效平均电压将变为零。在占空比为100％时，施加于电机的等效平均电压最大。在占空比从100％到50％之间，可以与占空比成正比控制从最大到零的施加电压。另外，当占空比从50％到0％时，电流从100％到50％反向流动。该条件下的PWM电压和电流波形如下所示。
关于有刷直流电机的PWM驱动的说明中提到的损耗问题，将在下一篇文章中单独进行介绍。
有刷直流电机的PWM驱动使用H桥的电流再生方法有多种，再生电流路径不同损耗也不同。关键字：引用地址：有刷直流电机的PWM驱动中其他电流再生方法
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亮度控制 /
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