在上一篇文章中介绍了PWM驱动方式下的有刷直流电机的四种电流再生方法。本文将介绍有刷直流电机的PWM驱动时的需要注意的几点：损耗和开关方法。
由于PWM驱动是脉冲驱动，因此其功耗仅是一个周期内电机的电压施加（导通）期间的功耗和电流再生（关断）期间的功耗的平均值。严格来讲，如下图所示，可以分电压施加期间（红色）、电流再生期间（蓝色）和转换期间（黄色）三种状态的功耗来考虑。通常，稳态期间的损耗为传导损耗，开/关转换期间的损耗为开关损耗。
（a）图显示了施加电压时的开关（MOSFET）状态。由于电流流过两个MOSFET导通的路径，因此这里的损耗为导通的MOSFET的导通电阻之和×电流的平方。
在（b）和（e）中，由于两个导通的MOSFET成为电流路径，因此，损耗为导通的MOSFET的导通电阻之和×电流的平方。
在（d）中，由于电流经由两个MOSFET的寄生二极管，因此损耗是各寄生二极管的VF之和×电流。
在（c）中，由于电流经由导通的MOSFET和关断的MOSFET的寄生二极管，因此损耗是导通的MOSFET的导通电阻×电流的平方＋关断的MOSFET的寄生二极管的VF×电流。
Ea：施加电压，I：电流，tr：上升时间，tf：下降时间，fsw：开关频率
但是，tr和fr应该要依据实际波形求得，而实际波形并不总是如图所示的整齐线形，因此就需要考虑到这一点。另外，对施加的电压和电流进行实际测量更能获得可靠的结果。
从前面的公式能看出，随着上升时间tr和下降时间tf变快，转换损耗（即开关损耗）会变小。开关速度（压摆率）越快，开关损耗越小，最终功耗越小=效率越高，但另一方面，开关噪声也会增加。这是因为效率和噪声之间有此起彼消的矛盾关系，因此就需要在两者之间找到折衷方案。
这是同步整流开关稳压器必不可少的控制，关于H桥的高边/低边对（在上图中为Q1/Q2、Q3/Q4）的ON/OFF，必须控制H桥，使高边和低边不发生同时导通期间。如果它们同时导通，则电源和GND将会短路，并可能会流过被称为“直通（Shoot Through）电流的大电流，甚至还会造成损坏。
为了防止同时导通，需要设置一个控制电路，以实现包含可以使高低边开关同时关断期间（俗称“死区时间”）的开关动作。但是，死区时间段会成为损耗，需要尽可能地缩短该时间段，并需要非常先进的控制以同时兼顾高效高速开关（转换速率）。实际上，很难用外部电路来组成这样的控制电路，因此通常使用电机驱动器IC中配备的防止同时导通的电路。
开关损耗随着PWM频率（即电压施加和电流再生周期）的增加而增加。从前面的公式中也可以清楚地看出这一点。当希望能够通过增加频率来减轻电流纹波时，就需要在频率与效率之间进行权衡。
很简单，如果在电机驱动器IC的技术规格书中没有“支持PWM驱动”的描述，则有可能没有办法进行PWM驱动。当特别希望用PWM方式驱动某款驱动器时，就需要与制造商确认。
如果用PWM方式驱动了不支持PWM驱动的驱动器，则有很大的可能性无法工作，即使工作也会发生误动作或者需要外置部件或电路，因此原则上不建议尝试。
・关于有刷直流电机的PWM驱动损耗，可以从施加电压时、电流再生时和转换时三个状态来考虑。
・关于有刷直流电机的PWM驱动损耗，当提高开关速度（转换速率）时，效率会提高，但噪声会增加。
・关于有刷直流电机的PWM驱动损耗，当提高PWM频率时，能够大大减少电流纹波，但效率会降低。
反接法的门槛 当被试设备的低压测量端或二次端对地无法绝缘，直接接地时所采用的测量方法，反接发的测量推荐使用SJJS-H全自动抗干扰介质损耗测试仪，如下图： 介质损耗测试仪 反接法使用步骤 第一步：按照说明书要求接好测试线，打开介质损耗测试仪主电源开关，显示屏幕出现参数的选择和设置。 第二步：设置参数，将测量方式、连接方式、测量电压选择并输入，测量方式分为工频和异频，如果在干扰比较大或者在线运行设备比较多时，采用异频方式测量，否则采用工频方式测量，两者相比，工频测试速度要比异频快，异频采用47.5Hz和52.5Hz两种频率测量之后计算50Hz时的介质损耗值。试验电压一般选10KV，或者保持默认值即可。 第三步：打开“
测试仪反接法该如何测量 /
据外媒报道，日前，高价值模拟半导体代工解决方案供应商Tower Semiconductor与硅光子光陀螺开发商Anello Photonics宣布达成战略合作伙伴关系，开发新的低损耗硅光波导技术和制造工艺。该工艺的代工版本可用于广泛市场，如汽车激光雷达、生物传感、量子计算、AI、微波光子学，以及需要集成高性能光学器件的光通信。 （图片来自：Anello Photonics） 新型低损耗氮化硅波导工艺在1550nm波长下的传播损耗接近0.005dB/cm，弯曲半径小于1mm。在1550nm和1310nm波长下，与其他商业代工技术相比，此种新技术的损耗大幅度减少。低损耗和小弯曲半径相结合，使得制造新型高性能器件成为可能，包括长
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” 难题 /
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