上一年6月份的时分，三星就表明称，自己的3nm芯片正式量产，选用的是新一代的GAAFET晶体管技能。
而台积电的3nm，直到上一年12月份才量产，选用的仍是之前的老迈的FinFET晶体管技能。
可见，三星抢先台积电半年，一起技能更先进，究竟咱们都以为GAAFET晶体管技能，比FinFET晶体管技能更先进。
所以很多人以为，三星这次可能要弯道超车，用GAAFET晶体管技能，抢先台积电，抢台积电的商场，终究打败台积电。
一年多时刻过去了，台积电的3nm手机芯片苹果A17 Pro正式推出，用于iPhone15 Pro系列上，尽管体现没有让人冷艳，体现一般般，但至少3nm工艺现已立住了，在3季度，现已为台积电贡献了6%的收入，后续会不断的增多。
但三星的3nm芯片呢？尽管抢先半年，尽管选用更先进的GAAFET技能，但现在还没有一家手机芯片厂商运用，高通最新的骁龙8Gen3，选用的是4nm工艺，联发科的天玑9300，选用的是4nm工艺。
最搞笑的是，三星自己的Exynos2400，竟然也不必自己的3nm工艺，运用的是上一年的4nm工艺。连三星自己都不必的工艺，你说让他人怎样用？自己都没有决心，让他人怎样有决心呢？这不是很搞笑么？
事实上，GAAFET晶体管技能，的确比FinFET晶体管技能要好，特别是在功耗操控、发热操控上。
咱们知道，芯片的功耗，分为两部分，一部分是动态功耗，即芯片运行时发生的功耗。
别的一部分则是表态功耗，也称漏电功耗，即CMOS晶体管各种走漏电流发生的静态功耗，这部分与芯片的阈值电压休戚相关，其实到7nm阶段时，芯片的静态功耗，比动态功耗更高，这部分才是功耗大头。
而GAA技能，比较于之前的FinFET技能，加到晶体管上的阈值电压变小，这样导致漏电功率也变小，然后芯片的功耗会得到较好的操控，功耗下降，那么发热也会更佳。
但很明显，三星GAAFET技能尽管很厉害，但没能在这次的3nm芯片上弯道超车，反而成了笑话，究竟自己都不必的工艺，让他人怎样用。
不过，近来三星又放线nm芯片的量产，然后在未来 5 年内逾越台积电和其它职业巨子！回来搜狐，检查更加多
