东芝开宣告业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高功率和小型化
我国上海，2023年8月29日——东芝电子元件及存储设备株式会社（“东芝”）今天宣告，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块选用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电体系和储能体系等运用DC 1500V的运用。该产品于今天开端支撑批量出货。
相似上述的工业运用一般运用DC 1000V或更低功率，其功率器材多为1200V或1700V产品。但是，估计未来几年内DC 1500V将得到遍及运用，因而东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的注册和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅（Si）IGBT比较降低了约90%[4]。这些特性均有助于进步设备功率。因为MG250YD2YMS3可完成较低的开关损耗，用户可选用模块数量更少的两电平电路替代传统的三电平电路，有助于设备的小型化。
[1] 采样规模仅限于双SiC MOSFET模块。数据根据东芝到2023年8月的调研。
*本文档中的产品价格和标准、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有改变，恕不另行通知。
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